襄樊儀表元件廠采用反滲透+混合床工藝制取高純水，用于硅片清洗。主要技術指標：

      反滲透產水量≥6T/H，脫鹽率≥98%，水利用率≥75%，產水電導率≤5μS/cm。

      混合床離子交換系統(tǒng)：產水量≥10～12 M3/H，產水電阻率≥17MΩ·CM（25℃）。

      實際生產運行中，單級反滲透產水電導率為1.98μS/cm，混合床離子交換系統(tǒng)單級出水即達到17.23MΩ·CM，完全滿足廠方生產制造的用水需要。

反滲透+混合床工藝

移出式再生裝置

預處理及混合床

反滲透主機

單級反滲透產水電導率1.98μS/cm

混合床產水電阻率17.23MΩ·cm